传闻三星从第10代V-NAND闪存开始，采用混合键合技术，目标是在2025年下半年开始量产，预计总层数达到420层至430层。三星还打算将混合键合技术扩展到DRAM芯片，引入到第六代HBM产品，也就是HBM4。SK海力士也有类似的打算，不过要等到HB ...

HBM正从高性能计算领域逐渐向消费电子等更广泛的市场渗透，其影响力正不断扩大，各大HBM制造企业在这一领域展开的技术博弈也将更加激烈。近日，苹果公司表示，正为20周年版iPhone研发多项创新技术，其中HBM被视为关键发展方向之一，苹果已与三星和SK ...

现代汽车证券公司的分析师格Greg Roh表示：“混合键合市场的进入门槛相当高，真正的优势在于那些已经熟练掌握这项技术多年的人。在市场持续增长之际探索新业务是有意义的，但鉴于已有实力雄厚的企业参与其中，这还需要得到验证。” ...

目前，随着堆叠层数的不断增加，传统焊接技术面临显著的挑战。目前所使用的助焊剂（Flux）虽能去除金属表面氧化物并促进焊料流动，但其残留物会引发堆叠间隙增大、热应力集中等问题，尤其在高带宽内存（HBM）等精密封装领域，这一矛盾更为突出。

据报道，LG电子启动高带宽存储器（HBM）混合键合机研发，正式进军半导体设备市场。此举与LG集团会长Koo ...

证券日报网讯 ...

LG电子的战略不仅仅局限于内存技术的提升。公司已明确提出要强化人工智能（AI）与B2B业务的发展愿景，而混合键合设备的开发正好符合这两大方向。随着AI技术的不断成熟，未来的内存解决方案将更智能化，能够更好地满足不同场景下的需求。

IT之家 7 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 今日报道称，LG 电子下属的生产技术研究所 (PTI) 已启动混合键合设备开发，目标在 2028 年实现大规模量产。混合键合未来将毫无疑问地成为 16+ 层堆叠 HBM ...

据报道，LG电子启动高带宽存储器（HBM）混合键合机研发，正式进军半导体设备市场。此举与LG集团会长Koo ...

目前正在北京进行访问的辉达（NVIDIA）执行长黄仁勋于今天表示，美国政府已批准降规版H20晶片可以销售至中国大陆。针对这个消息，华尔街分析师指出，辉达在明（2026）年营收成长有机会上看35%。Deepwater Asset Mana ...

美国近日在全球密集发起关税“攻势”，其中包括自8月1日起对所有进口到美国的铜征收50%的关税，这引发全球半导体行业高度戒备。据悉，铜是高性能半导体、电动汽车等关键材料，其价格飙升直接影响半导体供应链和制造成本。韩国半导体行业正制定应对措施，因生产芯片所需铜线等零部件被纳入关税范围，可能导致成本上升。