目前，随着堆叠层数的不断增加，传统焊接技术面临显著的挑战。目前所使用的助焊剂（Flux）虽能去除金属表面氧化物并促进焊料流动，但其残留物会引发堆叠间隙增大、热应力集中等问题，尤其在高带宽内存（HBM）等精密封装领域，这一矛盾更为突出。

HBM正从高性能计算领域逐渐向消费电子等更广泛的市场渗透，其影响力正不断扩大，各大HBM制造企业在这一领域展开的技术博弈也将更加激烈。近日，苹果公司表示，正为20周年版iPhone研发多项创新技术，其中HBM被视为关键发展方向之一，苹果已与三星和SK ...

“高通骁龙8至尊版主控搭配LPDDR5X ...

近日，摩根大通发布了关于内存市场的最新研究报告，指出 高带宽内存 （HBM）市场的供需紧张局面将持续至2027年。这一现象主要是受到技术迭代、AI需求激增和主权AI浪潮的推动，预计将对整个DRAM行业产生深远的影响。

传闻三星从第10代V-NAND闪存开始，采用混合键合技术，目标是在2025年下半年开始量产，预计总层数达到420层至430层。三星还打算将混合键合技术扩展到DRAM芯片，引入到第六代HBM产品，也就是HBM4。SK海力士也有类似的打算，不过要等到HB ...

7月8日，三星电子发布了第二季业绩预告。预计第二季营收为74万亿韩元，低于LSEG 预期的75.55万亿韩元；预计第二季营业利润约4.6万亿韩元，同比暴跌56%，远低于去年同期的10.44万亿韩元，也低于金融数据机构LSEG 预期的6.26万亿韩元。

IT之家 7 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 今日报道称，LG 电子下属的生产技术研究所 (PTI) 已启动混合键合设备开发，目标在 2028 年实现大规模量产。混合键合未来将毫无疑问地成为 16+ 层堆叠 HBM ...

据报道，LG电子启动高带宽存储器（HBM）混合键合机研发，正式进军半导体设备市场。此举与LG集团会长Koo ...

目前在 HBM 内存混合键合机台开发方面，Besi 和应用材料处于领先地位，而韩国两大内存企业 SK 海力士和三星电子有实现关键设备供应本地化的需求 ，LG 电子有望在这部分市场分得一杯羹。

智通财经APP获悉，摩根大通于近日发布内存市场研究报告，称HBM市场供需紧张将持续至2027年，该市场在供需紧张、技术迭代与AI需求共振下持续扩容，SK海力士与美光凭借技术和产能优势领跑，主权AI浪潮则为行业增长注入新动能。尽管短期存在认证延迟、产能爬坡等扰动，长期看HBM仍是DRAM行业增长的核心引擎。 小摩称，HBM ...

HBM首先使用TSV技术、micro bumping技术在晶圆层面上完成通孔和凸点，再通过TC－NCF、MR－MUF、Hybrid Bonding工艺完成堆叠键合，然后连接至 logic die，封测 ...