据 EE Times 报道，英伟达（Nvidia）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示，依赖全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调，对于英伟达的 GPU 而言，最主要的性能飞跃源于公司自身的架构创新 ...

IT之家 10 月 29 日消息，芯片设计服务企业世芯电子 AIchip 本月 25 日宣布其 2nm GAA 测试芯片已流片，预计明年一季度公布成果，且已开始与客户积极合作开发高性能 2nm ASIC。 世芯电子此前已为亚马逊 AWS、英特尔等企业提供过 ASIC 设计辅助服务。

随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），进一步推动半导体产业发展。然而，面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等挑战。这对 ...

长期以来，CMOS器件的多阈值（Multi-VT）调控是实现高性能、低功耗电路最优应用的关键技术之一。但堆叠纳米片GAA器件由于纳米片间空间（Tsus）严重受限，采用传统的栅金属功函数层膜厚调控以实现多阈值极具挑战。因此，新型多阈值调控技术及工艺集成是目前先进GAA器件集成中的研究重点。

GAA是Gate-All-Around的缩写，GAA即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的性能限制。

按照目前各大公司发布的信息，三星打算从2022年投产的第一代3nm就引入GAA晶体管，据介绍，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多桥－通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。