HBM正从高性能计算领域逐渐向消费电子等更广泛的市场渗透，其影响力正不断扩大，各大HBM制造企业在这一领域展开的技术博弈也将更加激烈。近日，苹果公司表示，正为20周年版iPhone研发多项创新技术，其中HBM被视为关键发展方向之一，苹果已与三星和SK ...

传闻三星从第10代V-NAND闪存开始，采用混合键合技术，目标是在2025年下半年开始量产，预计总层数达到420层至430层。三星还打算将混合键合技术扩展到DRAM芯片，引入到第六代HBM产品，也就是HBM4。SK海力士也有类似的打算，不过要等到HB ...

现代汽车证券公司的分析师格Greg Roh表示：“混合键合市场的进入门槛相当高，真正的优势在于那些已经熟练掌握这项技术多年的人。在市场持续增长之际探索新业务是有意义的，但鉴于已有实力雄厚的企业参与其中，这还需要得到验证。” ...

目前，随着堆叠层数的不断增加，传统焊接技术面临显著的挑战。目前所使用的助焊剂（Flux）虽能去除金属表面氧化物并促进焊料流动，但其残留物会引发堆叠间隙增大、热应力集中等问题，尤其在高带宽内存（HBM）等精密封装领域，这一矛盾更为突出。

根据龙虎榜数据显示，近期参与江波龙交易的机构席位包括中信建投广州和华泰南京中山北路，显示出专业投资者对该股的认可。同时，随着公司持续优化经营策略，市场对其未来业绩的预期也在不断上升。

HBM，如何推动AI发展？ 高带宽内存（HBM） 是下一代 DRAM（动态随机存取存储器）技术，可实现超高速和宽数据传输。 HBM 的核心创新在于其独特的 3D 堆叠结构，其中多个 DRAM 芯片（4 层、8 层甚至 12 ...

据报道，LG电子启动高带宽存储器（HBM）混合键合机研发，正式进军半导体设备市场。此举与LG集团会长Koo ...

IT之家 7 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 今日报道称，LG 电子下属的生产技术研究所 (PTI) 已启动混合键合设备开发，目标在 2028 年实现大规模量产。混合键合未来将毫无疑问地成为 16+ 层堆叠 HBM ...

据报道，LG电子启动高带宽存储器（HBM）混合键合机研发，正式进军半导体设备市场。此举与LG集团会长Koo ...

事实上，HBM大规模应用在智能手机领域是必然，只是溢价能力更强的苹果和华为有资格尝鲜而已。其实早在2013年，SK海力士就已经量产HBM芯片，可直到最近两年，市场才表现出了对HBM的强劲需求，并且这一切也是靠AI大模型的催化。