5月9日，中央纪委国家监委网站通报称：中国一重集团有限公司（下称“中国一重集团”）党委常委、副总经理陆文俊涉嫌严重违纪违法，目前正 ...

TSMC 的 A14 是全新的工艺技术，基于该公司的第 2 代 GAA FET 纳米片 晶体管 和新的标准单元架构，以实现性能、功耗和扩展优势。与 N2 相比，台积电 ...

据 EE Times 报道，英伟达（Nvidia）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示，依赖全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调，对于英伟达的 GPU 而言，最主要的性能飞跃源于公司自身的架构创新 ...

目前芯片代工的三巨头英特尔、三星和台积电都在积极备战GAA技术。 随着 2024 年 6 月 12 日在圣何塞举行的 2024 年三星晶圆代工论坛（SFF）的召开 ...

而目前除了华为海思之外，还没有哪家芯片设计公司可以做到3nm或2nm工艺水平；因此，从当前应用角度而言，美国限制GAA技术对于国产芯片来说影响微乎其微。 然后，GAA虽然在当前国内没有广泛的应用，但 下一代芯片将会采用GAA技术以提高效率和性能。

随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），进一步推动半导体产业发展。然而，面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等挑战。这对 ...

英特尔以RibbonFET的名称亮相其GAA技术；如同台积电一样，英特尔也计划在其2nm节点上采用这种新的半导体制造制程。 除了PowerVia互连，英特尔还计划在2024年中推出GAA RibbonFET晶体管，同时为新制程技术创建一种内部虚拟节点。

GAA是Gate-All-Around的缩写，GAA即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的性能限制。

随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管),芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革,这给设计团队带来了一 ...

据外媒报导，三星3nm制程流片进度是与新思科技（Synopsys）合作，加速为GAA 架构的生产流程提供高度优化参考方法。 因为三星基于GAA技术的3nm制程不同于台积电FinFET架构的3nm制程，所以三星需要新的设计和认证工具，故而采用了新思科技的Fusion Design Platform。